摘要：
研究了通过高能球磨制备含Al-C的纳米Si-C粉末。该粉末是由超细β-SiC微晶（约5 nm）和非晶Si-C基质组成。在合成粉末中，TEM-EDS分析显示Al的分布相对均匀（d50：170 nm）。在压力为20 MPa、温度为1 650 ℃的条件下，经30 min烧结后，含有6.5％添加剂的SiC的相对密度为98.1％。当添加剂含量降低至3.3％时，SiC可以在1 800 ℃下致密化。Si-C粉末中的Al含量会随着烧结温度而改变，例如在1 650 ℃下烧结，Al含量从4.11％变为2.6％，该值远高于溶解度极限（在1 800 ℃时为0.26％），这是由于Al在粉末中均匀分布及其低烧结温度。铝在晶界处偏析，而通过TEM分析未发现液相形成，表明晶界扩散是主要的致密化机制。烧结试样的机械性能类似于具有相同化学组分的、含有大量烧结添加剂的SiC-Al4SiC4体系（5.6%/13％），也类似于使用更高的压力（20 MPa/ 60 MPa）和烧结温度（1 650 ℃/1 800 ℃）获得的烧结试样。
中图分类号:
