摘要:
氮化硅薄膜刻蚀是制造微电子器件的关键技术之一,刻蚀的效果直接影响电子元器件的性能。采用反应离子法对氮化硅薄膜进行了刻蚀,并借助原子力显微镜(AFM)、光学显微镜(OM)、表面轮廓仪表征方法对刻蚀的氮化硅薄膜进行分析。结果表明:反应气体为NH3∶SiH4=40∶10时,制备出的氮化硅薄膜的厚度均匀,薄膜颜色一致;氮化硅薄膜的最佳刻蚀时间为3min,此时氮化硅薄膜的表面较平整,粗糙度较小,氮化硅薄膜与Si基底表面的分界线明显。
中图分类号:
范亚娟. 氮化硅薄膜刻蚀研究[J]. 耐火与石灰, 2018, 43(5): 21-23.
Fan Yajuan. Study on etching of silicon nitride thin films[J]. REFRACTORIES & LIME, 2018, 43(5): 21-23.