耐火与石灰 ›› 2017, Vol. 42 ›› Issue (5): 49-52.

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高纯SiC颗粒的粗化机理

张世国   

  • 出版日期:2017-10-10 发布日期:2017-10-10

  • Online:2017-10-10 Published:2017-10-10

摘要:

在2 150℃初始热处理期间,由于β-α相转换形成了α-SiC颗粒并快速生长。人工合成了尺寸为280μm的均匀的粗化α-SiC粉末。粗化过程不取决于初始颗粒尺寸,颗粒尺寸生长可由添加的碳和α-SiC种子控制。由于碳含量和α-SiC种子含量增加,颗粒尺寸降低。研究了高纯SiC颗粒的粗化机理。

中图分类号: