摘要：

验证了两步烧结法的适用性对于抑制亚微米氧化铝在最后阶段的晶粒长大中的作用。为了降低孔隙率，且不出现显著的晶粒长大，第一步加热的时间应该较短，在1 400~1 450℃相对较高的温度下进行；第二步在大约1 150℃左右的温度下促进样品的致密化，并且限制晶粒生长。使用两步法烧结制备的细晶氧化铝的相对密度为98.8%，晶粒尺寸为0.9μm。采用标准烧结工艺，陶瓷的相对密度相同，但晶粒尺寸为1.6μm。

中图分类号: 

• TQ175.712