摘要：
使用高纯原材料研究了氧化铝（Al2O3）添加剂对碳化硅（SiC）抗氧化性的改善。含有大约200×10-6金属杂质的SiC粉料和高纯Al2O3粉末混合，得到的生坯先经过无压烧结，接着用等静热压法处理，密度达到99.5％以上。这种SiC的烧结性及强度与含有1 100×10-6金属杂质的SiC粉料类似。随着Al2O3含量和金属杂质的降低，这种SiC的抗氧化性提高。含有1.4％Al2O3的SiC在1 300℃下的干燥空气中氧化400h，其抛物线氧化速率常数为7.8×10-12 kg2·m-4·s-1。这一值要低于已报道的其它液相烧结SiC（LPS-SiC），且与化学沉积SiC（CVD-SiC）的差不多。
中图分类号:
